德州仪器请求具有偏压电阻器的磁场传感器专利触及集成电路IC中具有偏压电阻器的磁场传感器

  金融界2025年7月25日音讯，国家知识产权局信息数据显现，德州仪器公司请求一项名为“具有偏压电阻器的磁场传感器”的专利，揭露号CN120379519A，请求日期为2024年12月。

  专利摘要显现，本揭露大体上触及集成电路IC中具有偏压电阻器的磁场传感器。在实例中，IC包含磁场传感器(102)和电阻器(104)。所述磁场传感器(102)包含榜首掺杂阱(202‑1)和第二掺杂阱(202‑2)。所述榜首掺杂阱(202‑1)和所述第二掺杂阱(202‑2)在半导体衬底(302)中。榜首距离(282)在所述榜首掺杂阱(202‑1)与所述第二掺杂阱(202‑2)之间。所述电阻器(104)包含在所述半导体衬底(302)中的第三掺杂阱(204‑1)。第二距离(284)在所述榜首掺杂阱(202‑1)与所述第三掺杂阱(204‑1)之间。所述第二距离(284)等于所述榜首距离(282)。

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