台积电宣布制裁中国芯片企业想要16nm芯片先去找美国政府审核

  

  据联合报的相关信息数据显示，台积电正在限制中国芯片设计公司，这些中国芯片设计企业不能从台积电订购采用 16 nm及以下工艺制造的芯片，除非它们使用美国政府批准的第三方封装公司。此举符合更严格的美国出口规则，迫使许多中国公司将包装业务转移到美国白名单上的 OSAT 以维持供应。

  据ijiweii报道，台积电的16nm订单占其总收入的不到10%。这表明16nm及以下工艺的订单在台积电的整体业务中所占比例比较小。台积电在中国市场的客户大多分布在在成熟制程节点，如16nm和18nm。

  然而，许多这些半导体客户其实就是美国和欧洲的汽车制造商。这说明台积电在中国市场的业务并非完全依赖于中国本土客户，而是有相当一部分来自国际客户在中国的业务需求。

  台积电超过70%的收入来自先进的技术节点，即7nm及以下工艺。因此，16nm及以下工艺的订单对台积电整体收入的贡献相对有限。

  这项制裁措施对于台积电自身影响很小，甚至说砍掉16nm生产线都对台积电造不成什么大影响。针对于中国企业的16nm及以下订单进行限制，主要的目的还是在于进一步收缩战场，将中国的部分芯片订单引入美国的企业制造当中。

  想要申请台积电的制造工艺，需要先向美国政府申请，必须由BIS白名单中的“approved OSAT”（经批准的第三方封装厂）进行晶圆的裸片封装，然后才能交给台积电制造。部分中国大陆的芯片IC设计企业，还被要求将敏感订单的流片、生产、封装、测试全部外包给指定的服务提供商，并且在生产的全部过程中不可以进行任何干预。

  这意味着企业没办法直接参与生产的全部过程中的关键环节，甚至无法对工艺参数、良率控制等核心数据来进行实时监控。这种限制不仅削弱了企业的技术保密性，还对其研发自主性构成了严重威胁。

  以流片为例，这是芯片设计从图纸到实物的关键步骤，涉及光刻、蚀刻、沉积等数百道工艺。若企业无法直接参与流片过程，将难以优化设计以提升性能和良率。此外，封装和测试环节的外包也增加了技术泄露的风险，尤其是在涉及高端AI芯片或军用芯片时，这一问题尤为突出。

  从技术角度来看，裸片封装（Die Packaging）是芯片制造的关键环节之一，涉及晶圆的切割、凸块（Bumping）、键合（Bonding）以及最终封装成型。

  BIS白名单中的封装厂通常具备先进的封装技术，如2.5D/3D封装、Chiplet异构集成以及扇出型封装（Fan-Out），这些技术能够很好的满足高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和5G通信等领域的需求。然而，中国大陆的IC设计企业如果没办法使用这些封装服务，将难以在先进制程领域与国际竞争对手抗衡。

  对于那些之前未与白名单内封装厂合作的IC设计公司，产品交付周期可能会显著延长，进而影响其向下游客户的交货能力。

  该措施进一步限制了中国大陆IC设计企业在先进制程芯片领域的研发和生产，对其技术保密性和发展自主性造成了冲击。

  目前来说，美国批准的封装企业有24家，这中间还包括了日月光、安靠、英特尔、IBM、三星电子、台积电、台联电等企业。

  台积电的限制措施，对部分中国大陆的IC设计公司能够带来了显著的挑战，包括交付周期延长、客户流失风险和技术与市场限制。同时，美国批准的封装公司凭借其先进的封装技术，能够很好的满足特定的出口管制要求，继续为中国市场提供服务。

  长电科技的市场占比最高，在2023年的国内封装市场当中，占比36.94%，产能占比18.24%。然后是富微电，市场占有率达26.42%，产量占22.25%。最后是华天科技，市场占有率为14.12%，产量占13.33%。

  长电科技的系统级封装（SiP）技术在移动终端领域表现突出，其优势体现在三种先进的技术上：双面塑形技术、EMI电磁屏蔽技术和激光辅助键合（LAB）技术。在晶圆凸块的多种合金材料和工艺方面拥有丰富经验，涵盖200mm和300mm晶圆尺寸的直接凸块、重布线凸块和扇出型凸块。

  通富微电掌握了Chiplet、2.5D/3D制程、超大尺寸2D+封装等先进封装技术。2024年上半年，公司针对大尺寸多芯片Chiplet封装特点，新开发了Cornerfill、CPB等工艺。

  在2.5D/3D封装领域，通富微电通过引入硅中介层（Interposer）和TSV（硅通孔）技术，实现了芯片之间的高速互连和垂直堆叠。这种封装方式非常适合于高性能计算和人工智能芯片，能够显著提升数据传输速率和能效比。

  此外，通富微电正在建设的高阶处理器FCBGA封装测试基地，将为中国在高端芯片封装领域提供强有力的技术支持。

  华天科技在先进封装领域拥有3D Matrix技术，集成了TSV（硅通孔）、eSiFo（扇出型封装）和3D SIP（系统级封装）。

  TSV技术通过在硅片中穿孔并填充导电材料，实现了芯片之间的垂直互连，大幅度缩短了信号传输路径，降低了延迟和功耗。eSiFo技术则通过将芯片直接封装在基板上，减少了传统封装中的中间层，进一步提升了封装效率和性能。

  华天科技的3D SIP技术将多个功能芯片集成在一个封装体内，实现了系统级的功能整合。这种封装方式非常适合于物联网和可穿戴设备，能够在有限的空间内实现复杂的功能需求。

  此外，华天科技的封装产能覆盖了从低端到高端的全范围集成电路，大范围的应用于消费电子、汽车电子和工业控制等领域。

  长电科技、通富微电和华天科技在先进封装技术上的突破，不仅提升了中国封装企业的国际竞争力，也为中国半导体产业的自主化发展提供了重要支撑。

  随着5G、AI和物联网等新兴技术的加快速度进行发展，先进封装技术将在未来半导体产业链中扮演逐渐重要的角色。中国封装企业通过持续的技术创新和市场拓展，有望在全球半导体产业链中占据更重要的地位。

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  主攻科技、数码领域原创长图文。 用雷军先生总结的爆品三要素来写爆品内容。