江苏新顺微电子请求含电阻的多VDMOS器材集成电路结构及其制作办法专利可以耐受500V以上电压

  金融界2024年11月4日音讯，国家知识产权局信息数据显现，江苏新顺微电子股份有限公司请求一项名为“一种含电阻的多VDMOS器材集成电路结构及其制作办法”的专利，公开号CN 118888589 A，请求日期为2024年7月。

  专利摘要显现，本发明公开了一种含电阻的多VDMOS器材集成电路结构，包含3个共漏极VDMOS，其间2个VDMOS共用一个栅极G1，第三VDMOS栅极G3与分压环上环形多晶电阻串联，其笔直方向的结构包含作为基片的榜首导电类型浓掺衬底；在浓掺衬底上设置有榜首导电类型的轻掺杂外延层；在外延层上为第二导电类型的分压环结构；在分压环结构上是终端氧化层，分压环结构中心则是与浓掺衬底掺杂类型相同的有源区AA窗口；在AA窗口上构成栅氧，淀积多晶硅，并进行榜首导电类型掺杂、光刻及刻蚀构成笔直穿插的栅极，和所述环形多晶电阻。选用本发明，可以耐受500V以上电压且与栅极或源极串联接漏极的高压电阻，且电阻值可以终究靠对多晶电阻掺杂剂量调整，降低了电路封装本钱，并可满意多个组件开关需求。